euro-pravda.org.ua

Знайдено спосіб підвищити енергоефективність технологій 3D-друку транзисторів.

Працівники лабораторії напівпровідникових оксидних матеріалів МФТІ спільно з колегами розробили матеріали на основі напівпровідника — складного оксиду індію, галію та цинку. Пошук реагентів для низькотемпературного синтезу показав, що використання гліцерину та нагрівання до 500 градусів Цельсія сприяє формуванню частинок цього матеріалу розміром не більше 30 нанометрів. Результати дослідження відкривають нові можливості для підвищення доступності технологій 3D-друку транзисторів завдяки зниженню енергетичних витрат.
Ученые разработали метод для увеличения энергоэффективности 3D-печати транзисторов.

Дослідження опубліковане в журналі Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. Журнал має Перший рівень національної системи ранжування наукових видань — Білого списку.

Ноутбуки, смартфони та інші складні пристрої містять безліч електронних компонентів, включаючи транзистори. Транзистори дозволяють перемикати окремі елементи електричного кола, а також підсилювати або перетворювати електричні сигнали, наприклад, у цифрову або звукову форму.

Перший транзистор розміром у сантиметр було виготовлено в 1947 році. Подальший розвиток технологій пішов шляхом мініатюризації пристроїв. Сучасні транзистори мають нанометрові розміри. Найдешевший та перспективний спосіб їх отримання — струйна тривимірна друк. Для друку потрібні спеціальні чорнила. По-перше, вони повинні бути в рідкому стані під час проходження через друкуючу головку принтера, а при нанесенні на підкладку швидко загустівати. По-друге, необхідно, щоб затверділа маса вибірково проводила струм, тобто була напівпровідником.

Для виконання цих вимог вчені МФТИ, СПбГУ, ЮУрГУ спільно з колегами з Таджикистану досліджували процес отримання складного оксиду індію, галію та цинку золь-гель методом. Реалізація такого методу передбачає спочатку синтез золя, потім його перетворення в гель з подальшою сушкою та термообробкою. Золем або колоїдним розчином називають рідину, в обсязі якої розподілені та можуть вільно рухатися наночастинки.

Загальновідомо, що індій, галій та цинк зв'язують з розчинів іони та молекули інших речовин, що називаються лігандами. Продуктами реакцій є різні комплекси, тобто сполуки, чий склад не можна пояснити теорією утворення хімічних зв'язків за рахунок спільних пар електронів. Склад і властивості комплексів залежать від умов проведення реакцій. Вчені вивчили ці залежності та визначили умови синтезу наночастинок, однорідних за складом і представлених нерозчинними комплексами вищезгаданих металів. Іншими словами, було отримано ряд золей при інтенсивному змішуванні в співвідношенні 1:3 водних розчинів солей металів та органічних речовин: лимонної та щавлевої кислоти, етиленгліколю, гліцерину, сечовини та сахарози.

Перехід із золя в гель здійснювався шляхом випарювання рідини, в ході якого наночастинки втратили рухливість і сформували просторовий каркас. Після чого у геля з'явилися властивості твердого тіла: відсутність текучості, збереження форми, міцність та пружність. Сушку гелю проводили 6–22 години, повільно підвищуючи температуру з 100 до 500 градусів. Потім висушений і змелений у порошок гель спікали при 700–1450 градусів протягом 12–24 годин і охолоджували на повітрі.

За допомогою рентгенофазового аналізу вчені визначили хімічний склад отриманих зразків, а їх поверхню вивчили методами скануючої та просвічуючої електронної мікроскопії. Різниця між методами в тому, що скануюча електронна мікроскопія призначена для реєстрації збільшеного зображення поверхні при відображенні від неї пучка електронів, а просвічуюча — при проходженні пучка електронів через зразок.

Встановлено, що використання етиленгліколю та гліцерину і сушіння при 500 градусах дозволяє синтезувати рентгеноаморфні сполуки. Подальше спікання при 700–900 градусах формує у зразків шарувату структуру, як у складного оксиду ітербію та заліза. Кристалічна решітка зразків — ромбічна. Параметри решітки залежать від складу та форми матеріалу і досягають найменших значень (a = 3,295 Å, c = 26,070 Å) в умовах нагріву до 1450 градусів протягом 24 годин.

Мікроскопічні дослідження показали, що отримані зразки є агломератами з наночастинок, які не мають специфічної просторової організації. На поверхні зразків розташовані скупчення частинок розміром 20–30 нанометрів, також є ділянки з більш дрібних частинок. Слід зазначити, що більш точні зображення були отримані за допомогою просвічуючої електронної мікроскопії.

«На сьогоднішній день відсутнє обґрунтування застосування тих чи інших органічних лігандів для синтезу золь-гель методом складного оксиду індію, галію та цинку, — сказав Денис Винник, завідувач лабораторією напівпровідникових оксидних матеріалів МФТИ. — Метою нашого дослідження був пошук реагентів, які дозволяють отримати наночастинки цього оксиду при найменших температурах».

«Працюючи з гліцерином, ми при 500 градусах синтезували наночастинки складного оксиду індію, галію та цинку, визначили тип і параметри кристалічної решітки цього оксиду», — додав Гліб Зірник, молодший науковий співробітник лабораторії функціональних оксидних матеріалів для мікроелектроніки МФТИ.

Результати, отримані науковою групою, дадуть можливість цілеспрямовано обирати органічні реагенти для синтезу золь-гель методом складного оксиду індію, галію та цинку, тим самим підвищать доступність технологій друку транзисторів завдяки зниженню енергозатрат.

Робота виконана за фінансової підтримки РНФ.